單晶片可達128Gb，三星量產業界第一款3D垂直NAND快閃記憶體

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　　三星新近宣佈他們突破了現有NAND快閃記憶體技術的規模限制，開始量產業界第一款3D垂直NAND(V-NAND)快閃記憶體。  　　隨着性能和麵積比方面的提升，新的3D垂直NAND快閃記憶體將大範圍應用於消費電子和企業應用方面，包括嵌入式NAND儲存和SSD固態硬碟。
　　新的3D垂直NAND快閃記憶體可以在單個晶片上實現128Gb的容量。它使用了三星的垂直cell結構，該結構基於3D CTF(Charge Trap Flash)技術和垂直堆疊製程技術。得益於此，新產品可以提供超過兩倍於20奈米平面NAND快閃記憶體的容量。
　　據Engadget報導，三星表示新技術令產品的可靠性為上一代的2至10倍，寫入速度可以達到原來的2倍，單個晶片可以包含24層堆疊cell單元。