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  在IDF開幕式主題演講中,Intel CEO再次確認了他們的工藝路線圖,14nm今年底會就會開始生產,明年的Broadwell及Atom下一代架構Airmont會使用14nm。2015年開始進入更先進的10nm階段,2017年則會進入7nm節點。

  首先是Broadwell,Intel明確表示今年底會開始生產14nm工藝,明年Q2季會發布現有22nm Haswell處理器的繼任者-Broadwell。對於後者,Intel還是強調它的節能特性,宣稱Broadwell要比Hasell在電池續航上有30%的提升。
  Broadwell詳細的架構介紹要等未來兩天的IDF進程繼續公佈了。

  明年上馬14nm工藝的還有Airmont架構的Atom,Intel在IDF上發布的Bay Trail平台的Atom使用的是Silvermont架構,Airmont則是Silvermont架構的繼任者,Intel已經許諾Atom處理器會每年升級架構和製程工藝,比Core系列的Tick-Tock戰略還要激進。
  14nm之後半導體製造工藝又會進入一個新拐點——10nm,這個節點意義重大,因為要進入量子階段了,半導體的電氣特性會有改變。之前的消息顯示Intel正在研發10nm以內的工藝,現在計畫2015年開始進入10nm階段,不過真正量產的時間可能要到2016年了。
  10nm之後是7nm,Intel計畫2017年開始嘗試7nm工藝,不過真正生產可能還要到2018年。
  現在還不確定Intel是否會在10nm工藝階段啟用EUV光刻設備,之前ASML表示在今年Q2季開始出貨EUV光刻設備,2018年業界會開始進入18英吋晶圓階段。
 
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